2019年9月世界制造業(yè)大會上，總投資超過2200億元的合肥長鑫集成電路制造基地項目順利簽約，其中包括總投資約1500億元的長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目(簡稱“長鑫存儲”)。10月22日下午，中宣部“推動高質(zhì)量發(fā)展調(diào)研行”走進位于合肥經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟示范區(qū)的長鑫存儲技術(shù)有限公司，了解這家致力于以存儲科技賦能信息社會，改善人類生活企業(yè)的拳拳初心。
長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，長鑫存儲誕生于2016年，專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠。DRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、人工智能、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場潛力巨大。
(長鑫存儲技術(shù)有限公司外景)
“合肥集成電路產(chǎn)業(yè)有基礎(chǔ)，并且在科教、人才、區(qū)位等多方面具有顯著優(yōu)勢，這是我們選擇合肥的原因。 ”朱一明說。長鑫存儲將分期建設(shè)三座12寸DRAM存儲器晶圓廠，打造集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的存儲器DM國產(chǎn)化基地。2017年3月，長鑫存儲項目一期開工建設(shè)。2018年1月，廠房建設(shè)完成，開始設(shè)備搬入，并陸續(xù)完成安裝和驗機，創(chuàng)下同期芯片先進制造廠最快速度。主廠房34萬平方米，規(guī)模位居世界同類生產(chǎn)廠房前列。2018年7月開始工藝投片驗證。2019年9月，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。這標志我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)技術(shù)突破，擁有了這一關(guān)鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產(chǎn)能。
長鑫存儲是中國第一家自主研發(fā)并投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計制造一體化企業(yè)，實現(xiàn)了中國在這一領(lǐng)域的歷史性突破，對于推動中國在這一高端芯片產(chǎn)業(yè)上逐步實現(xiàn)獨立自主，以及帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化，具有重要的現(xiàn)實意義和深遠的歷史意義。“未來，長鑫存儲將繼續(xù)腳踏實地、埋頭苦干、擔責合力，致力于發(fā)展成為技術(shù)領(lǐng)先與商業(yè)成功的半導體存儲芯片公司。”朱一明表示。
(記者 吳承江/文 高斌/圖)
